[发明专利]一种纳米花状CoIn2S4颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜有效

专利信息
申请号: 202110301679.8 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN113078416B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 胡音;熊杰;雷天宇;陈伟;胡安俊;李瑶瑶;周酩杰;王显福 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01M50/431 分类号: H01M50/431;H01M50/449;H01M50/403;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供的一种纳米花状CoIn2S4颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜,包括隔膜,和位于隔膜表面的由质量比为5~8:1的纳米花状CoIn2S4颗粒和还原氧化石墨烯复合而成的复合材料。制备方法:将CoCl2·6H2O、InCl3·4H2O和硫代乙酰胺按摩尔比1:2加入DMF和乙二醇的体积比1:1的混合溶剂中,180~200℃下反应18~24h;离心清洗后在400~600℃热处理3~6h,得到纳米花状CoIn2S4颗粒,与还原氧化石墨烯和PVDF按质量比(5~8):1:1的比例加入NMP中,超声后抽滤于隔膜上得到。本发明所得隔膜在抑制穿梭效应的同时加速LiPSs转化动力学,提升锂硫电池的倍率。
搜索关键词: 一种 纳米 coin2s4 颗粒 石墨 复合 修饰 隔膜
【主权项】:
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