[发明专利]一种纳米花状CoIn2S4颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜

权利要求书

1.一种纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜，其特征在于，包括隔膜，和位于隔膜表面的由纳米花状CoIn₂S₄颗粒和还原氧化石墨烯复合而成的复合材料；所述复合材料中纳米花状CoIn₂S₄颗粒和还原氧化石墨烯的质量比为5～8:1，纳米花状CoIn₂S₄颗粒的尺寸为1～3μm。

2.根据权利要求1所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜，其特征在于，位于隔膜表面的复合材料的厚度为20～50μm。

3.一种纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将CoCl₂·6H₂O、InCl₃·4H₂O和硫代乙酰胺按照摩尔比为1:2:8的比例加入DMF和乙二醇的体积比为1:1的混合溶剂中，搅拌后得到混合溶液；其中，混合溶液中CoCl₂·6H₂O的浓度为1mol/L；

步骤2：将上述混合溶液在180～200℃下反应18～24h，自然冷却至室温后得到反应产物；

步骤3：上述反应产物离心清洗后，获得沉淀物；

步骤4：将上述沉淀物烘干后，在400～600℃氮气或惰性气体环境下热处理3～6h，自然冷却至室温，得到纳米花状CoIn₂S₄颗粒；

步骤5：将上述纳米花状CoIn₂S₄颗粒、还原氧化石墨烯和粘结剂按质量比(5～8):1:1的比例加入NMP或DMF中，超声处理后得到分散液；其中，分散液中粘结剂的浓度为0.2～0.5g/L；

步骤6：将上述分散液通过抽滤置于隔膜上，得到纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜。

4.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤1中搅拌的条件为室温下搅拌30～60min。

5.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤3中离心清洗的过程为先用无水乙醇离心清洗2～3次，再用去离子水离心清洗2次；其中，离心清洗的条件为6000～10000rpm离心10～15min。

6.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤4中烘干的条件为80～100℃烘干24～36h。

7.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤5中超声处理的时长为3～6h。

8.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤5中粘结剂为PVDF和聚氧乙烯中的至少一种。

9.根据权利要求3所述纳米花状CoIn₂S₄颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜的制备方法，其特征在于，步骤6中抽滤的面积为10～80cm²。