[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，先形成在各台阶处暴露出第一绝缘层和第一牺牲层纵向侧壁的第一台阶结构，然后对所述第一牺牲层的纵向侧壁进行部分氧化以形成侧壁氧化物，接着去除在各台阶处暴露的第一绝缘层而形成第二台阶结构，以使所述第二台阶结构在各台阶处暴露出第一牺牲层和侧壁氧化物的上表面。将所述第一牺牲的纵向侧壁氧化成了所述侧壁氧化物，以保护所述第一牺牲层，进而可以避免所述第一牺牲层置换为栅极层后与其旁边的字线触点接触，从而可以减少字线触点的漏电或短路。