[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括在纵向交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层，所述堆叠层的顶部为所述第一绝缘层；

对所述堆叠层的边缘进行刻蚀以形成第一台阶结构，所述第一台阶结构在各台阶处暴露出所述第一绝缘层以及所述第一牺牲层的纵向侧壁；

对所述第一牺牲层的纵向侧壁进行部分氧化以形成侧壁氧化物；

去除各台阶处暴露出的所述第一绝缘层以形成第二台阶结构，以使所述第二台阶结构在各台阶处暴露出所述第一牺牲层和侧壁氧化物的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第二台阶结构上沉积牺牲材料；

去除所述侧壁氧化物的侧壁的所述牺牲材料，以形成位于所述第一牺牲层和侧壁氧化物的上表面的第二牺牲层，所述第二牺牲层在所述第二台阶结构的各台阶侧壁处不连续。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：

形成覆盖所述第二台阶结构和第二牺牲层的第二绝缘层；

形成在所述纵向穿过所述第二绝缘层且与所述第二台阶结构各台阶处的所述第二牺牲层连接的字线触点。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一牺牲层的纵向侧壁进行部分氧化以形成侧壁氧化物的步骤，包括：采用炉管氧化工艺将所述第一牺牲层的纵向侧壁氧化成所述侧壁氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一牺牲层的纵向侧壁进行部分氧化以形成侧壁氧化物的步骤，包括：采用等离子体氧化工艺将所述第一牺牲层的纵向侧壁氧化成所述侧壁氧化物。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述采用等离子体氧化工艺将所述第一牺牲层的纵向侧壁氧化成所述侧壁氧化物的步骤之前，还包括：对所述第一牺牲层的边缘进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的纵向侧壁与位于所述第一绝缘层上方的所述侧壁氧化物边缘的纵向侧壁对齐。

8.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二牺牲层边缘的纵向侧壁与位于所述第二牺牲层下方的所述侧壁氧化物边缘的纵向侧壁对齐。

9.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层为氮化硅，所述侧壁氧化物为氧化硅。

10.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：将所述第一牺牲层和第二牺牲层置换为栅极层。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的台阶结构，所述台阶结构包括在纵向堆叠的多对第一绝缘层和层间栅极层，所述层间栅极层露出于所述台阶结构在各台阶的水平台面，所述层间栅极层在所述台阶处包括第一栅极层，以及位于所述第一栅极层的纵向侧壁且位于所述台阶边缘的侧壁氧化物；

其中，所述侧壁氧化物与所述第一栅极层同层，且覆盖所述第一绝缘层的部分上表面。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述台阶处的所述第一栅极层和侧壁氧化物上表面的第二栅极层，且各台阶处的所述第二栅极层被所述侧壁氧化物隔开。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

覆盖所述台阶结构和第二栅极层的第二绝缘层；

在所述纵向穿过所述第二绝缘层且与所述台阶结构各台阶处的所述第二栅极层连接的字线触点。