[发明专利]半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管在审
| 申请号： | 202110300376.4 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113497406A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 佐藤恒辅;岩谷素显 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/028;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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