[发明专利]半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管

权利要求书

1.一种半导体激光二极管的制造方法，该半导体激光二极管具有：基底层；谐振区域，其形成于所述基底层的上表面的一部分，在该谐振区域依次层叠有第一半导体层、波导层和第二半导体层；第一电极，其形成于所述谐振区域附近的第一半导体层上；以及第二电极，其形成在所述谐振区域之上，第一半导体层的位于所述谐振区域的部分和第一半导体层的形成有所述第一电极的部分相连续，其中，

该半导体激光二极管的制造方法包含在基板上形成多个所述半导体激光二极管之后将所述基板分割成各所述半导体激光二极管的工序，

该半导体激光二极管的制造方法具有：

在所述基板上形成依次包含第一半导体层、波导层和第二半导体层的层叠体的工序；

电极层形成工序，在该电极层形成工序中，使成为所述第二电极的层在所述层叠体的第二半导体层之上形成到所述谐振区域的谐振器端面与所述分割的工序中进行分割的位置之间；以及

第一蚀刻工序，该第一蚀刻工序是在所述电极层形成工序之后，同时或连续地进行成为所述第二电极的层的在比所述谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和所述谐振器端面的形成。

2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管的制造方法，其中，

该半导体激光二极管的制造方法还具有台面蚀刻工序，在该台面蚀刻工序中，对所述层叠体蚀刻而将所述第一半导体层在膜厚方向上分成包含成为所述谐振区域的部分的部分和除此以外的部分，

在通过该蚀刻产生的所述除此以外的部分的上表面形成所述第一电极。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光二极管的制造方法，其中，

所述第一蚀刻工序是通过使用掩模的干蚀刻法来进行的，在所述第一蚀刻工序之后，在未取下所述掩模的情况下利用碱性水溶液进行湿蚀刻。

4.一种半导体激光二极管，其中，

该半导体激光二极管具有：

基底层；

谐振区域，其形成于作为所述基底层的上表面的一部分的基底区域的一部分，在该谐振区域依次层叠有第一半导体层、波导层和第二半导体层；

第一电极，其形成于所述谐振区域附近的第一半导体层上；

第二电极，其形成在所述谐振区域之上；以及

凸部，其从所述谐振区域的构成谐振器端面的面和所述基底区域的上表面这两者突出，

第一半导体层的位于所述谐振区域的部分和第一半导体层的形成有所述第一电极的部分相连续，

所述凸部在远离所述谐振器端面的一侧直接过渡到作为平坦的面的、所述基底区域的上表面。

5.根据权利要求4所述的半导体激光二极管，其中，

所述谐振器端面和所述第二电极的在所述谐振区域的谐振方向上的端面处于同一平面内。

6.根据权利要求4或5所述的半导体激光二极管，其中，

所述凸部的从所述基底层的上表面突出的尺寸在所述凸部从构成所述谐振器端面的面突出的位置处最大。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体激光二极管，其中，

所述第二电极经由绝缘层形成在所述第二半导体层之上，

在所述绝缘层的通孔形成有将所述第二电极和所述第二半导体层电连接的连接体，

所述凸部的与所述谐振区域的谐振方向正交的方向上的尺寸大于所述连接体的与所述谐振区域的谐振方向正交的方向上的尺寸。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体激光二极管，其中，

在所述谐振器端面和所述第二电极的在所述谐振区域的谐振方向上的端面形成有反射层，所述反射层的在所述第二电极的所述端面的膜厚大于所述反射层的在所述谐振器端面的膜厚。