[发明专利]一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法有效
| 申请号： | 202110295694.6 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113125474B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 车仁超;裴科;杨利廷;张瑞轩;杨辰迪;张捷 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058;G01N23/20008;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透射 电子显微镜 测试 材料 霍尔 反常 效应 方法 | ||
【主权项】：
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