[发明专利]一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法

权利要求书

1.一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；

(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；

(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成；

样品/芯片器件的加工过程具体为：

(a)选取测试材料，在其表面长方形区域喷镀碳保护层，再采用离子刻蚀得到长方体样品，并转移至原位测试芯片上；

(b)在长方体样品的一侧喷镀铂覆盖层，再刻蚀清除碳保护层；

(c)采用离子束喷镀的铂作为导线，形成四条沉积电路，并将长方体样品与原位测试芯片的四个芯片电极连接起来；

(d)对长方体样品的表面进行刻蚀处理，以使得四条沉积电路之间相互分离，即完成加工并得到样品/芯片器件。

2.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述的碳保护层为非晶碳层，其厚度为1-2μm。

3.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(a)中，长方体样品与原位测试芯片保持平行。

4.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(b)中，所述铂覆盖层的厚度为1-2μm。

5.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(b)中，沉积铂覆盖层后，再采用聚焦离子束对长方体样品进行刻蚀减薄至300-400nm。

6.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(c)中，沉积电路宽1μm，厚0.5μm。

7.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，四条沉积电路分别与长方体样品的四个方向的侧面对应连接，且其中一条沉积电路还连接铂覆盖层。

8.根据权利要求7所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，步骤(d)中，刻蚀处理完成并使得四条沉积电路相互分离后，继续对铂覆盖层进行离子束刻蚀，使得铂覆盖层和与其连接的沉积电路融为一体。

9.根据权利要求7所述的一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，其特征在于，刻蚀处理完成后，还对长方体样品继续进行刻蚀减薄，使得其厚度降低至150nm以下。