[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110293706.1 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113130742A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 单利军;康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件在阻变层和第一电极之间增加了一层籽晶层，该籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。由于籽晶层的颗粒结构改变了阻变层的地势形态，使其呈现凹凸不平状，进而在凸起处更易形成多条导电细丝。籽晶层可利用沉积工艺，在成膜前的原子成核阶段形成颗粒结构。该颗粒结构分布较为分散，从而能促成多条导电细丝的生成，可用于实现存算一体(CIM)的忆阻器等更多应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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