[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110293706.1 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113130742A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 单利军;康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：
阻变层；
分别位于所述阻变层两侧的第一电极和第二电极；
位于所述阻变层与所述第一电极之间且与所述第二电极相对的第一籽晶层，所述籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件还包括：
位于所述阻变层与所述第二电极之间的第二籽晶层，与所述第一籽晶层相对。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述阻变层为平面结构。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述阻变层为沟槽结构。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述金属材料为活性金属材料。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述活性金属材料包括Ta、Ti、Hf和Zr。
7.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成第一电极；
在所述第一电极之上形成第一籽晶层，所述籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态；
在所述籽晶层之上形成阻变层；
在所述阻变层之上形成第二电极，使所述第二电极与所述第一籽晶层相对。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述籽晶层之上形成阻变层之后，所述方法还包括：
在所述阻变层之上形成第二籽晶层，使所述第二籽晶层与所述第一籽晶层相对。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成第一籽晶层，包括：
使用物理气相沉积工艺沉积金属材料并通过金属成核阶段形成第一籽晶层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述物理气相沉积工艺包括溅镀。
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