[发明专利]半导体装置

摘要

提供了小面积且具有充分容量的非易失性存储器。具有被形成为从半导体基板的一个面的第一区域朝向内部延伸的第一导电型的第一阱、被形成为从半导体基板的一个面的与第一区域隔离的第二区域朝向内部延伸的第二导电型的第二阱、被形成为从半导体基板的一个面的与第二区域隔离的第三区域朝向内部延伸的第一导电型的第三阱、以及在半导体基板的所述一个面上遍及第一区域、第二区域和第三区域而形成的导电层。在一个面设置有形成在第一区域的周缘的至少一部分并且露出第一阱的侧面的凹部，导电层被形成为覆盖在第一区域露出的第一阱的上表面和在凹部露出的第一阱的侧面的至少一部分。