[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，构成非易失性存储器，其特征在于，具有：

半导体基板；

第一导电型的第一阱，被形成为从所述半导体基板的一个面的第一区域朝向内部延伸；

与所述第一导电型相反极性的第二导电型的第二阱，被形成为从所述半导体基板的所述一个面的与所述第一区域隔离的第二区域朝向内部延伸；

所述第一导电型的第三阱，被形成为从所述半导体基板的所述一个面的与所述第二区域隔离的第三区域朝向内部延伸；以及

导电层，在所述半导体基板的所述一个面上遍及所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域而形成，

在所述一个面设置有形成在所述第一区域的周缘的至少一部分并且露出所述第一阱的侧面的凹部，

所述导电层被形成为覆盖在所述第一区域露出的所述第一阱的上表面、以及在所述凹部露出的所述第一阱的侧面的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有分离层，所述分离层被形成为从所述半导体基板的所述一个面的所述第一区域和所述第二区域之间的区域朝向内部延伸并且与所述第一阱和所述第二阱相接，

所述凹部在所述第一区域和所述第二区域隔离的方向上设置在所述第一阱和所述分离层之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一阱的表面形成遮盖在所述第一区域露出的上表面和在所述凹部露出的侧面的氧化膜，

所述导电层被形成为经由所述氧化膜延伸到所述第一阱的上表面和所述第一阱的所述侧面的至少一部分。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电层具有平板部和凸部，所述平板部被设置为在所述第一区域中与所述第一阱相向，所述凸部从所述平板部突出并且配设于与所述第一阱的所述侧面的一部分相向的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电层的所述凸部被设置为从包围所述半导体基板的所述一个面的所述第一区域的周缘的位置朝向内部延伸。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一阱是在向所述非易失性存储器的数据的写入时接受第一电压的施加的作为控制栅极发挥作用的阱区，

所述第三阱是在向所述非易失性存储器的数据的写入时接受比所述第一电压小的第二电压的施加的作为隧道栅极发挥作用的阱区，

所述第一区域的面积大于所述第三区域的面积。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电层由所述第一导电型的多晶硅层构成，作为所述非易失性存储器的浮置栅极发挥作用。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板是所述第二导电型的半导体基板。

9.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，包括：从一个面的第一区域朝向内部延伸的第一导电型的第一阱、从所述一个面的与所述第一区域隔离的第二区域朝向内部延伸并且与所述第一导电型相反极性的第二导电型的第二阱、以及以使得所述第二阱位于与所述第一阱之间的方式从所述一个面的与所述第二区域隔离的第三区域朝向内部延伸的所述第一导电型的第三阱；

分离层，从所述半导体基板的所述一个面的所述第一区域和所述第二区域之间的第四区域朝向内部延伸；以及

导电层，在所述半导体基板的所述一个面上遍及所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域而设置，其一部分在所述第一区域和所述第二区域隔离的方向上位于所述第一阱和所述分离层之间。

10.一种半导体装置的制造方法，是构成非易失性存储器的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

以从半导体基板的一个面的第一区域朝向内部延伸的方式形成第一导电型的第一阱、并且以从所述半导体基板的所述一个面的与所述第一区域隔离的第三区域朝向内部延伸的方式形成所述第一导电型的第三阱的步骤；

以从所述半导体基板的所述一个面的位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域朝向内部延伸的方式形成与所述第一导电型相反极性的第二导电型的第二阱的步骤；

形成从所述半导体基板的所述一个面的位于所述第一区域与所述第二区域的边界部分的区域朝向内部延伸的分离层的步骤；

在所述分离层的与所述第一阱的边界部分形成露出所述第一阱的侧面的一部分的凹部的步骤；以及

以覆盖在所述第一区域露出的所述第一阱的上表面和在所述凹部露出的所述第一阱的侧面的至少一部分的方式形成导电层的步骤。