[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110271975.8 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113851465A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 徐东益;李世昊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：第一电极；第二电极；以及多层叠层，其介于第一电极与第二电极之间并且包括晶种层和高k电介质层，其中，晶种层和高k电介质层各自可以具有岩盐晶体结构，以及其中高k电介质层可以呈现出五十(50)或更高的介电常数(k)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110271975.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
