[发明专利]CIS器件的隔离沟槽制作方法有效
| 申请号： | 202110270108.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113435B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 沈宇栎;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;杜闫 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)器件的隔离沟槽制作方法。CIS器件的隔离沟槽制作方法包括以下步骤：提供所述CIS器件的基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；在所述基底层的上表面上制作形成硬质掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述硬质掩模层定义出所述隔离沟槽的图案；对所述基底层依次进行多次刻蚀循环，每次所述刻蚀循环包括依次进行的以下步骤：基于所述图案，预刻蚀所述基底层，形成刻蚀窗口；基于所述刻蚀窗口，对所述基底层进行深度刻蚀，形成沟槽段；使得沟槽段的表层形成聚合物层；通入刻蚀气体，预备下一刻蚀循环的刻蚀环境。该方法可以解决采用相关技术所制作的CIS器件容易产生信号串扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cis 器件 隔离 沟槽 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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