[发明专利]CIS器件的隔离沟槽制作方法

权利要求书

1.一种CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述CIS器件的隔离沟槽制作方法包括以下步骤：

提供所述CIS器件的基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；

在所述基底层的上表面上制作形成硬质掩模层；

通过光刻刻蚀工艺，使得所述硬质掩模层定义出所述隔离沟槽的图案；

对所述基底层依次进行多次刻蚀循环，每次所述刻蚀循环包括依次进行的以下步骤：

基于所述图案，预刻蚀所述基底层，形成刻蚀窗口；

基于所述刻蚀窗口，对所述基底层进行深度刻蚀，形成沟槽段；

使得沟槽段的表层形成聚合物层；

通入刻蚀气体，预备下一刻蚀循环的刻蚀环境；

其中，所述多次刻蚀循环包括先进行的N次第一刻蚀循环，再进行的M次第二刻蚀循环，所述N∈1,2,3…n+1，所述M∈1,2,3…m+1，所述n和m均为正整数；

所述N次第一刻蚀循环完成后形成由上至下槽口逐渐扩大的所述隔离沟槽的上部；所述第二刻蚀循环完成后形成由上至下槽口逐渐缩小的所述隔离沟槽的下部；

其中，所述M次第二刻蚀循环中的第m次刻蚀循环包括：基于所述图案，刻蚀所述基底层，形成表面覆盖有第二在前聚合物层的第二在前沟槽段；

所述M次第二刻蚀循环中的第m+1次刻蚀循环包括：基于所述第二在前沟槽段，继续刻蚀所述基底层和所述第二在前聚合物层，形成连通所述第二在前沟槽段下端的第二在后沟槽段，且所述第二在前沟槽段和第二在后沟槽段的表面覆盖有第二在后聚合物层；所述第二在后聚合物层的厚度大于所述第二在前聚合物层的厚度，所述第二在后沟槽段的槽宽小于所述第二在前沟槽段的槽宽。

2.如权利要求1所述的CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述隔离沟槽包括由上至下依次连通的多个沟槽段，一次所述刻蚀循环对应形成一个沟槽段。

3.如权利要求1所述的CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述N次第一刻蚀循环中的第n次刻蚀循环包括：基于所述图案，刻蚀所述基底层，形成表面覆盖有第一在前聚合物层的第一在前沟槽段；

所述N次第一刻蚀循环中的第n+1次刻蚀循环包括：基于所述第一在前沟槽段，刻蚀所述基底层和所述第一在前聚合物层，形成连通所述第一在前沟槽段下端的第一在后沟槽段，且所述第一在前沟槽段和第一在后沟槽段的表面覆盖有第一在后聚合物层；所述第一在后沟槽段的槽宽大于所述第一在前沟槽段的槽宽。

4.如权利要求3所述的CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述第n+1次刻蚀循环中各个步骤的执行时间，大于所述第n次刻蚀循环中对应步骤的执行时间。

5.如权利要求1所述的CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述基于所述图案，预刻蚀所述基底层，形成刻蚀窗口步骤，其进行时的环境压力为65毫托至75毫托。

6.如权利要求1所述的CIS器件的隔离沟槽制作方法，其特征在于，所述基于所述刻蚀窗口，对所述基底层进行深度刻蚀，形成所述沟槽段的步骤进行时的环境压力为20毫托至30毫托。