[发明专利]利用高频无极石英晶体传感器监测刻蚀二氧化硅的系统有效
| 申请号： | 202110268763.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112885733B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 司士辉;冯浪霞;扶梅;张润 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏;林毓俊 |
| 地址： | 410083 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用高频无极石英晶体传感器监测刻蚀二氧化硅的系统。本发明采用多频谐振激励高频无极石英晶体，使用基频为100MHz的或者基频为33MHz的石英晶体三倍频、五倍频的高频石英晶体制做成单面无极高频石英晶体作为高频无极QCM传感器的传感元件，可实现在线监测氢氟酸刻蚀二氧化硅的厚度。本发明采用单片机控制DDS信号源产生扫频信号，扫频信号施加到高频无极QCM传感检测池中石墨电极上，通过高频无极石英晶体上的金接收电极直接输出，经过信号调理电路后，被送入幅度和相位检测单元，经相敏检波器的信号采集，数据拟合等，测得的高频无极石英晶体频率值实时发送到PC端采集窗口，PC端对测量系统和参比系统的频率进行差值运算，并计算刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 高频 无极 石英 晶体 传感器 监测 刻蚀 二氧化硅 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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