[发明专利]一种三维存储器的形成方法及三维存储器在审
| 申请号： | 202110263417.7 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112864317A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨红心;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；在所述介质层表面形成存储器阵列；在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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