[发明专利]一种三维存储器的形成方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；

在所述介质层表面形成存储器阵列；

在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；

在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述散热剂包括水或导热油。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一散热管道和所述第二散热管道的管道形状包括以下任意一种：直线型、L型、U型或蛇形；

当所述第一散热管道和所述第二散热管道为多个时，多个所述第一散热管道和多个所述第二散热管道分别均匀或非均匀地排布于所述介质层和所述存储器阵列的外围。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每一所述第一散热管道与至少一条所述第二散热管道连通，或，每一所述第一散热管道与每一所述第二散热管道相互独立；

当所述第一散热管道与所述第二散热管道连通时，所述第一散热管道和所述第二散热管道中填充有相同的所述散热剂；

当所述第一散热管道与所述第二散热管道相互独立时，所述第一散热管道和所述第二散热管道中填充有相同或不同的所述散热剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一散热管道和所述第二散热管道的横截面形状包括以下任意一种：椭圆形、圆形或任意多边形。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，包括：

形成包裹所述存储器阵列的外围绝缘层；

刻蚀所述外围绝缘层，形成位于所述外围绝缘层中的至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向平行于所述存储器阵列的生长方向。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在至少一个所述第一刻蚀孔或至少一个所述第二刻蚀孔中填充散热金属材料，以形成所述三维存储器，其中，所述散热金属材料至少包括金属钨。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层表面形成存储器阵列，包括：

在所述介质层表面，形成多个沿第三方向依次堆叠的半导体堆叠结构；

在第一方向和/或第二方向上，对所述半导体堆叠结构进行刻蚀，形成具有多个第一间隙和/或第二间隙的相变存储单元，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向两两相互垂直，且所述第三方向垂直于所述衬底所在的平面，所述第一方向和所述第二方向构成的平面平行于所述衬底所述在的平面；

在每一所述第一间隙和/或所述第二间隙中填充间隙材料，以形成所述存储器阵列。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成每一所述半导体堆叠结构，包括：

由下至上依次堆叠形成第一地址线层、底部电极层、选通层、中间电极层、相变存储层、顶部电极层和第二地址线层；

对应地，所述在第一方向和/或第二方向上，对每一所述半导体堆叠结构进行刻蚀，形成具有多个第一间隙和/或第二间隙的相变存储单元，包括：

在所述第一方向和/或所述第二方向上，由上至下依次刻蚀所述第二地址线层、所述顶部电极层、所述相变存储层、所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层，直至暴露出衬底为止，形成沿所述第二方向和/或所述第一方向排列的多个所述第一间隙和/或所述第二间隙，得到与所述第一间隙和/或所述第二间隙交替排列的所述相变存储单元，其中，刻蚀所述顶部电极层、所述相变存储层、所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层的刻蚀方向，与所述第一方向和所述第二方向垂直。