[发明专利]一种中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110255953.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112864237A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡斌君 | 申请（专利权）人： | 上海恒灼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 袁步兰 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，采用二氧化硅(SiO2)/氮化硅(SiN)/二氧化硅(SiO2)(简称ONO结构)为沟槽阻挡层(简称ONOHardmask)，防止在衬底表面的过渡区域产生厚氧台阶差，消除栅源两极间的漏电隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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