[发明专利]一种中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：准备衬底；

步骤2：在所述衬底表面的有源区和终端区生成第一层二氧化硅层；

步骤3：在所述第一层二氧化硅层表面生长一层氮化硅层；

步骤4：在所述氮化硅层表面再生成第二层二氧化硅层；

步骤5：在所述有源区和所述终端区之间刻蚀沟槽；

步骤6：在所述衬底的表面进行热氧化场氧生长，使得所述沟槽的侧壁和底部形成厚场氧；

步骤7：向所述沟槽内填充多晶硅，填充后刻蚀所述多晶硅，使得所述多晶硅表面位于所述第二层二氧化硅层和所述氮化硅层之间；

步骤8：利用湿法刻蚀去除位于衬底表面的所述第二层二氧化硅层；

步骤9：继续刻蚀所述多晶硅，使得多晶硅表面与硅表面齐平；

步骤10：将所述衬底的保护环区涂胶保护，对所述衬底的原胞区的多晶硅进行刻蚀，去除部分多晶硅，未刻蚀的多晶硅形成屏蔽栅；

步骤11：对所述衬底去胶后去除所述衬底表面的所述氮化硅层以及所述第一层二氧化硅层；

步骤12：所述保护区涂胶保护，对所述原胞区的沟槽内进行厚场氧部分刻蚀；

步骤13：对所述衬底的原胞区进行热氧化场氧生长，在所述原胞区的沟槽内再生成场氧，使得场氧包裹住所述沟槽内的多晶硅；

步骤14：在所述原胞区的沟槽内填充第二层多晶硅，填充后刻蚀所述多晶硅，使得多晶硅表面与硅表面齐平；

步骤15：沟槽工艺完成后，对所述衬底进行离子注入后实现与金属连线之间的连接，完成晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤6中，所述厚场氧的厚度为3000埃-7000埃。

3.根据权利要求1所述的中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤10中，去除的部分多晶硅为高度在所述沟槽深度1/10-1/3之间的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤12中，采用湿法刻蚀对所述厚场氧进行刻蚀，使得厚场氧的端面低于刻蚀后多晶硅的上端面。

5.根据权利要求1所述的中压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤13中，所述场氧的厚度为500-1000埃。