[发明专利]一种应力调节微米LED芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202110251012.1 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112909135A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 魏伟;苗中正;封然 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224007 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应力调节微米LED芯片的制造方法，属于微米LED技术领域，本方法包括：制作带有微纳米尺度应力调节部件的衬底，在带有应力部件的衬底生长微米LED晶圆，制作应力调节微米LED芯片，本发明的一种制造应力调节微米LED芯片的方法，使其通过应力调节部件对PN结区域产生应力，产生极化，产生电流的不均匀分布，提高微米LED的发光效率，同时通过增加绝缘应力调节部件刻蚀区代替微米LED芯片的半导体材料刻蚀区，避免了侧壁损伤带来的表面非辐射辐射效应，提高微米LED芯片的出光效率，同时通过紫外成像设备进行光刻，解决了现有普通光刻不能生产的难题，具有极大的创新性，具有节能环保，结构简单等特点，具有极大的应用市场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 调节 微米 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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