[发明专利]一种应力调节微米LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

步骤1：制作带有微纳米尺度应力调节部件的衬底；

步骤2：在带有应力调节部件的衬底生长微米LED晶圆；

步骤3：制作应力调节微米LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：微纳米尺度应力调节部件面积小于等于50000µm²；微纳米尺度应力调节部件制作流程包括：

步骤11：在衬底上沉积应力调节材料；

步骤12：

制作垂直结构应力调节微米LED芯片时，结合光刻和刻蚀工艺将应力调节材料刻蚀成微纳米尺度中空的环状应力调节部件，应力调节材料中空的底部为导电衬底；

制作传统结构应力调节微米LED芯片时，结合光刻和刻蚀工艺将应力调节材料刻蚀成微纳米尺度中空的带有缺口的环状调节部件，应力调节材料中空的底部为导电衬底或非导电衬底。

3.根据权利要求2所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：衬底为导电衬底或不导电衬底；导电衬底为硅衬底或碳化硅衬底，不导电衬底为蓝宝石衬底或氧化镓衬底。

4.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：在带有应力调节部件的衬底生长微米LED晶圆包括以下步骤：衬底上依次生长至少包括缓冲层，N型半导体材料层，有源区层，P型半导体材料层，且使缓冲层、N型半导体材料层、有源区层、P型半导体材料层的综合厚度与微纳米尺度应力调节部件厚度的差别不大于5%，微纳米尺度应力调节部件紧紧围绕微米LED芯片的四周；应力调节部件顶部不能沉积缓冲层，N型半导体材料层，有源区层，P型半导体材料层。

5.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：应力调节部件尺寸为微纳米尺度尺寸，其面积小于等于50000µm²；在从100℃至1500℃范围内降至室温的温度时，应力调节部件的热膨胀系数与缓冲层、N型半导体材料层、有源区层、P型半导体材料层的平均热膨胀系数不同；应力调节部件对微米LED芯片发射的光为透明的，光透过率大于等于70%；应力调节部件为绝缘材料；应力调节部件环绕缓冲层、N型半导体材料层、有源区层、P型半导体材料层。

6.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：应力调节微米LED芯片分为垂直结构应力调节微米LED芯片和传统结构应力调节微米LED芯片两种；垂直结构应力调节微米LED芯片的正负电极位于衬底两侧，传统结构应力调节微米LED芯片的正负电极位于衬底同一侧。

7.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：步骤3：制作应力调节微米LED芯片：制作垂直结构应力调节微米LED芯片的制作方法包括以下步骤：光刻，制作Mesa，光刻，制作P型电极，减薄衬底，光刻，制作N型电极，划片；光刻时，使用紫外光刻设备光刻和紫外成像设备成像。

8.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED芯片的制造方法，其特征在于：步骤3：制作应力调节微米LED芯片：制作传统结构应力调节微米LED芯片的制作方法包括以下步骤：光刻，制作Mesa，光刻，制作P型电极，光刻，制作N型电极，减薄衬底，划片；光刻时，使用紫外光刻设备光刻和紫外成像设备成像。