[发明专利]一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺在审
| 申请号： | 202110250852.6 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113319652A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 殷博文;李星;王彦君;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将抛光液、清洗剂、活性剂、氢氧化钾溶液按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，使用单抛机系列，并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节，可根据不同的来料类型，设定不同的加工工艺，运用两到不同抛头进行加工，S2、然后通过将第一个抛头设定为粗抛，粗抛垫型号、抛光液型号根据产品的加工要求可自行选择，粗抛垫随着加工寿命的减少，在抛头压力的作用下，中心部位的磨损程度会大于边缘部位，在粗抛工艺中加入一定配比的氢氧化钾溶液，可以加快化学反应速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 单抛机抛后 硅片 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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