[发明专利]一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺

权利要求书

1.一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：其实验工艺包括以下步骤：

S1、首先将抛光液、清洗剂、活性剂、氢氧化钾溶液按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，使用单抛机系列，并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节，可根据不同的来料类型，设定不同的加工工艺，运用两到不同抛头进行加工；

S2、然后通过将第一个抛头设定为粗抛，粗抛垫型号、抛光液型号根据产品的加工要求可自行选择，粗抛垫随着加工寿命的减少，在抛头压力的作用下，中心部位的磨损程度会大于边缘部位，在粗抛工艺中加入一定配比的氢氧化钾溶液，可以加快化学反应速率，加快了产品的去除速率，减少产品的塌边程度，同时氢氧化钾溶液也可以充当润滑剂，减少硅片与抛光垫之间的摩擦阻力，延长了抛光垫的寿命；

S3、最后可根据现场需求更换第二个抛头，如果追求更好的面粗效果，可在第二个、第三个抛头使用精抛垫，此时因根据产品规范上要求的去除量，相应增加粗抛的加工时间，如果追求更快的加工速度，则可以将第二个抛头设定为中抛，在工艺配比中加入氢氧化钾溶液，加工结束后需放入水车进行传递。

2.一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：其一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺的实验辅料组成为：

抛光垫；

抛光液；

清洗剂；

活性剂；

氢氧化钾溶液。

3.根据权利要求1所述的一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：所述抛光线设备为晶盛6DZ单抛机系列，加工直径为200mm的半导体产品，加工厚度为400～1000mm。

4.根据权利要求1所述的一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：所述该机台抛头数量为三个，可根据不同的工艺配制要求，灵活运用这三个抛头进行加工。

5.根据权利要求1所述的一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：所述工艺使用粗抛+中抛+精抛或者粗抛+精一+精二的加工模式，通过调整抛光垫型号、抛头压力、吸附垫大小、陶瓷盘转速等工艺参数来优化产品。

6.根据权利要求1所述的一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：所述第三个抛头通常设定为精抛，为了得到良好的面粗效果，加工时间一般不少于180S。

7.根据权利要求1所述的一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其特征在于：所述当抛光作业完成后，需要通过SCC预清洗进行产品的第一次清洗。