[发明专利]一种高质量SiC单晶制备装置及方法在审
| 申请号： | 202110249485.8 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112779596A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 曹徐婷 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高质量SiC单晶制备装置及方法，属于晶体生长领域。解决了SiC单晶质量不佳，生长不够均匀，厚度达不到市场需求的问题。包括上盖、籽晶、下盖、坩埚主体、滤网、保温体、动力杆、石英管和加热线圈，所述坩埚主体内放置滤网，坩埚主体的上部设置下盖和上盖，下盖位于上盖下侧，下盖的下侧连接籽晶，上盖的上侧连接动力杆，坩埚主体外壁包覆有保温体，坩埚主体置于石英管内侧，石英管的外侧安装加热线圈。可以有效去除杂质的同时，防止二次引入新杂质，有效提高晶体质量；碳化硅原料由石墨滤网固定，在提纯以及长晶期间可以有效防止碳颗粒随气体上升；长晶期间可以控制籽晶转动，防止不同位置气体流速差异导致晶体生长出现位错缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 sic 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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