[发明专利]半导体器件和半导体装置在审
| 申请号： | 202110239519.5 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN112864028A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 河阪俊行;仓知俊介 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，该半导体器件包括具有主表面和与主表面相反的次表面的衬底。该主表面设有半导体有源器件。该半导体器件包括沉积在次表面上和衬底通孔内的基底金属层、以及基底金属层上的附加金属层，其中在衬底通孔中形成有空位，附加金属层具有与基底金属层相比不同的对焊料的润湿性，由此焊料与基底金属层可接触并被附加金属层排斥。通过在衬底的次表面和组装衬底之间插入焊料，从而使半导体器件贴片在组装衬底上。通过部分地去除附加金属层，使得除了衬底通孔和衬底通孔的周边之外的部分中的基底金属层与焊料接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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