[发明专利]半导体器件和半导体装置在审
| 申请号： | 202110239519.5 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN112864028A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 河阪俊行;仓知俊介 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
具有主表面和与所述主表面相反的次表面的衬底，所述主表面在其中设有半导体有源器件，所述衬底具有衬底通孔，该衬底通孔从所述次表面穿过到达所述主表面中的所述半导体有源器件；
沉积在所述次表面上和所述衬底通孔内的基底金属层；以及
位于所述基底金属层上的附加金属层，所述附加金属层具有与所述基底金属层相比不同的对焊料的润湿性，由此所述焊料与所述基底金属层可接触并被所述附加金属层排斥；
其中通过在所述衬底的所述次表面和组装衬底之间插入焊料，从而使所述半导体器件贴片在所述组装衬底上，
其中通过部分地去除所述附加金属层，使得除了所述衬底通孔和所述衬底通孔的周边之外的部分中的所述基底金属层与所述焊料接触，并且
其中所述衬底通孔中存在空位。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述基底金属层依次包括镍和铬的合金(NiCr)层和金(Au)层，NiCr层和Au层各自的厚度为50nm至200nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述附加金属层为厚度为20nm至200nm的Ni和Cr的合金。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述附加金属层沉积在所述衬底通孔的周边，该衬底通孔的周边的宽度为至少10μm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述基底金属层是沉积厚度为5μm至10μm的Au层。
6.一种半导体装置，包括：
半导体器件和组装衬底，
其中所述半导体器件包括：
具有主表面和与所述主表面相反的次表面的衬底，所述主表面在其中设有半导体有源器件，所述衬底具有衬底通孔，该衬底通孔从所述次表面穿过到达所述主表面中的所述半导体有源器件；
沉积在所述次表面上和所述衬底通孔内的基底金属层；以及
位于所述基底金属层上的附加金属层，所述附加金属层具有与所述基底金属层相比不同的对焊料的润湿性，由此所述焊料与所述基底金属层可接触并被所述附加金属层排斥；
其中通过在所述衬底的所述次表面和所述组装衬底之间插入焊料，从而使所述半导体器件贴片在所述组装衬底上，
其中通过部分地去除所述附加金属层，使得除了所述衬底通孔和所述衬底通孔的周边之外的部分中的所述基底金属层与所述焊料接触，并且
其中所述衬底通孔中存在空位。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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