[发明专利]一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110238727.3 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113087532B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 余忠;青豪;孙科;冉茂君;邬传健;刘海;蒋晓娜;兰中文 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;B05D1/00;B05D7/24;B05D7/00;H01F1/14;H01F41/24;C04B35/622;C04B35/26 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)将亚硝酸钠、乙酸钠加入去离子水中，搅拌混合均匀，得到氧化反应液；2)将氯化亚铁、氯化镍、氯化锌、氯化钴加入去离子水中，搅拌混合均匀，得到还原反应液；3)将干净的基板放置于旋转喷涂设备的加热板中央，调节基板温度、旋转速度、氧化反应液和还原反应液的供应速率、超声雾化功率，沉积薄膜。本发明通过减少主配方中Fe含量并引入Co，降低了薄膜面内磁各向异性，提高NiZn铁氧体薄膜起始磁导率的同时还兼具高的截止频率和饱和磁化强度，为磁性薄膜应用于片上系统的电感器和高频开关电源提供了有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 nizn 铁氧体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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