[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110238594.X | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113097354A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 栗伟;陈婉君;陈思河;许圣贤;夏宏伟;王绘凝;林素慧;洪灵愿;彭康伟 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；电流阻挡层，位于外延层的第二半导体层的部分表面上，且电流阻挡层中设置有反射结构；第一电极，与电流阻挡层设置有反射结构的一面相对应，并与外延层的第二半导体层电连接。由此，本发明的发光二极管能够有利于射向金属电极的光的反射，有效提高发光二极管的外量子效率，同时还保证金属电极下方的有效散热，提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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