[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

外延层，位于所述衬底的第一表面上，且所述外延层在所述衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

电流阻挡层，位于所述外延层的第二半导体层的部分表面上，且所述电流阻挡层中设置有反射结构；

第一电极，与所述电流阻挡层设置有反射结构的一面相对应，并与所述外延层的第二半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构为设置于所述电流阻挡层上表面的凹槽。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，在所述发光二极管的出光方向上，所述凹槽的深度为50～500nm；在垂直于所述发光二极管的出光方向上，所述凹槽的开口宽度为50～500nm。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽呈倒梯型。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构为沿所述发光二极管的出光方向上贯穿所述电流阻挡层的孔隙。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述发光二极管的出光方向上，所述孔隙的开口宽度为50～500nm。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括电流扩展层，设置于所述外延层的所述第二半导体层上方，并覆盖所述电流阻挡层和所述第二半导体层，且与所述第二半导体层电连接。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述电流阻挡层上设置有第一开口，所述电流扩展层在所述第一开口的对应位置设置有第二开口，所述第一电极一方面通过所述第一开口及所述第二开口连接至所述第二半导体层；另一方面通过电流扩展层连接至第二半导体层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的个数为至少两个，相邻所述第一开口之间形成有间隔的电流阻挡层。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极与所述第一半导体层电连接。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖于所述外延层及所述电流扩展层的表面。

12.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖于所述外延层及所述电流扩展层的表面，且在所述电流扩展层的上方形成有第三开口，所述第一电极通过所述第三开口与所述电流扩展层电连接。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第三开口的位置与所述电流阻挡层的位置相对应。

14.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第三开口的个数为至少两个，相邻所述第三开口之间形成有间隔的绝缘保护层。

15.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，

在所述衬底的第一表面上生长外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

在所述外延层的第二半导体层的部分表面上形成具有反射结构的电流阻挡层；

在所述电流阻挡层具有反射结构的一面的对应位置形成第一电极，使得所述第一电极与所述外延层的第二半导体层电连接。