[发明专利]记忆体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110234863.5 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113764378A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 苏信文;林祐宽;洪连嵘;王屏薇;黄家恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L21/8246;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种记忆体元件及其形成方法，记忆体元件包含基板、主动区、第一栅极结构和第二栅极结构，及第一字元线和第二字元线。主动区突出自基板的上表面，主动区具有至少一环状结构，其中由上方俯视，环状结构具有第一线性部、第二线性部、第一弯曲部、第二弯曲部，第一弯曲部连接第一线性部与第二线性部的第一端，而第二弯曲部连接第一线性部与第二线性部的第二端。第一栅极结构和第二栅极结构配置于基板上方并跨越主动区。第一字元线和第二字元线分别电性连接至第一栅极结构和第二栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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