[发明专利]记忆体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种记忆体元件，其特征在于，包含：

一基板；

一主动区突出自该基板的一上表面，该主动区具有至少一环状结构，其中由上方俯视，该环状结构具有一第一线性部、一第二线性部、一第一弯曲部、一第二弯曲部，该第一弯曲部连接该第一线性部与该第二线性部的第一端，而该第二弯曲部连接该第一线性部与该第二线性部的第二端；

一第一栅极结构和一第二栅极结构，配置于该基板上方并跨越该主动区；以及

一第一字元线和一第二字元线，分别电性连接至该第一栅极结构和该第二栅极结构。

2.如权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，该第一栅极结构覆盖该环状结构的该第一弯曲部，而该第二栅极结构覆盖该环状结构的该第一线性部和该第二线性部。

3.如权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，其中

该环状结构的该第一弯曲部的一侧壁具有一第一区段、一第二区段、及一第三区段，该第一区段具有(010)晶格面，该第二区段具有(110)晶格面，该第三区段具有(100)晶格面；以及

该第一栅极结构接触该环状结构的该第一弯曲部的该第一区段、该第二区段、及该第三区段。

4.如权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，该环状结构的该第一线性部和该第二线性部往垂直该第一栅极结构和该第二栅极结构的长度方向垂直的一方向延伸。

5.如权利要求1所述的记忆体元件，其特征在于，还包含：

一第三栅极结构和一第四栅极结构，配置于该基板上方并跨越该主动区；以及

一第三字元线和一第四字元线，分别电性连接至该第三栅极结构和该第四栅极结构。

6.一种记忆体元件，其特征在于，包含：

一基板；

一主动区突出自该基板的一上表面，该主动区具有至少一环状结构，其中该环状结构的一侧壁具有一(010)晶格面、一(110)晶格面、及一(100)晶格面；

一第一栅极结构和一第二栅极结构，配置于该基板上方并跨越该主动区，其中该第一栅极结构与该(010)晶格面、该(110)晶格面、及该(100)晶格面接触；以及

一第一字元线和一第二字元线，分别电性连接至该第一栅极结构和该第二栅极结构。

7.如权利要求6所述的记忆体元件，其特征在于，该第二栅极结构与该第一主动区的该侧壁的该(010)晶格面接触，且不与该第一主动区的该侧壁的该(110)晶格面和该(100)晶格面接触。

8.如权利要求6所述的记忆体元件，其特征在于，该第一栅极结构和该第一主动区形成多个交界面，且该第二栅极结构和该第一主动区形成多个交界面，其中该第一栅极结构和该第一主动区的所述交界面的数量小于该第二栅极结构和该第一主动区的所述交界面的数量。

9.一种形成记忆体元件的方法，其特征在于，包含：

形成具有一开口的一图案化遮罩于一基板上，其中该图案化遮罩的该开口具有一环状轮廓；

通过该图案化遮罩作为一蚀刻遮罩来蚀刻该基板以形成具有一环状结构的一主动区突出于该基板上方；

形成一第一虚设栅极结构和一第二虚设栅极结构于该主动区上方；

分别将该第一虚设栅极结构和该第二虚设栅极替换为一第一金属栅极结构和一第二金属栅极结构；以及

形成一第一字元线和一第二字元线，分别电性连接至该第一金属栅极结构和该第二金属栅极结构。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该开口的该环状轮廓具有一第一线性部、一第二线性部、一第一弯曲部、一第二弯曲部，该第一弯曲部连接该第一线性部与该第二线性部的第一端，而该第二弯曲部连接该第一线性部与该第二线性部的第二端。