[发明专利]一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管有效
| 申请号： | 202110231131.0 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097294B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管，应用于自对准双图案工艺，其中，所述方法包括：在栅极介质层上，依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层，其中，所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸；对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙；对所述目标隔离侧墙进行减薄处理，得到减薄隔离侧墙，通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 特征 尺寸 控制 方法 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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