[发明专利]半导体装置及其过电流保护方法在审
| 申请号： | 202110225926.0 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113497438A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 皆川启 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H5/04;H02H3/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其过电流保护方法，将开关元件保护功能高精度化。具备：开关元件2的芯片温度检测二极管8；控制电路温度检测二极管3，其配置于控制开关元件2的控制电路；以及过电流基准电压校正电路4，其比较两者的检测电位，并校正由过电流基准电压电路5生成的过电流基准电压，并输出校正后的过电流基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 电流 保护 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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