[发明专利]半导体装置及其过电流保护方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

开关元件；

控制电路，其控制所述开关元件，并具有所述开关元件的过电流检测电路；

第一温度检测单元，用于所述开关元件的温度检测；以及

第二温度检测单元，用于所述控制电路的温度检测，

所述控制电路具备基准校正电路，所述基准校正电路基于通过所述第一温度检测单元检测出的第一检测值和通过所述第二温度检测单元检测出的第二检测值，校正所述过电流检测电路的过电流基准值，并输出校正后的过电流基准值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基准校正电路在根据所述第一检测值和所述第二检测值判定为所述开关元件的温度与所述控制电路的温度之差为预定值以上的情况下，基于所述第一检测值校正所述过电流基准值。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件搭载于第一电路基板上，所述第一电路基板由具有预定的电路图案并搭载有电子部件的绝缘基板形成。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路搭载于第二电路基板上，所述第二电路基板由具有预定的电路图案并搭载有电子部件的绝缘基板形成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件和所述控制电路搭载于同一个第三电路基板上，所述第三电路基板由具有预定的电路图案并搭载有电子部件的绝缘基板形成。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

以覆盖所述开关元件的方式成形第一树脂壳体。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

以覆盖所述控制电路的方式成形第二树脂壳体。

8.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

以覆盖所述开关元件和所述控制电路的方式成形同一个第三树脂壳体。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

对所述开关元件设置的所述第一温度检测单元与所述开关元件设置在同一元件内，或者所述第一温度检测单元设置在所述第一电路基板上或所述第三电路基板上，或者设置在所述第一树脂壳体内或所述第三树脂壳体内，或者设置在所述第一树脂壳体或所述第三树脂壳体附近的能够测量所述开关元件温度的位置。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

对所述控制电路设置的所述第二温度检测单元与所述控制电路设置在同一元件内，或者所述第二温度检测单元设置在所述第二电路基板上或所述第三电路基板上，或者设置在所述第二树脂壳体内或所述第三树脂壳体内，或者设置在所述第二树脂壳体或所述第三树脂壳体附近的能够测量所述控制电路温度的位置。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，作为所述开关元件，使用IGBT。

12.根据权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，作为所述开关元件，使用MOSFET。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一温度检测单元和所述第二温度检测单元具有负的温度特性。

14.根据权利要求1至12中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一温度检测单元和所述第二温度检测单元具有正的温度特性。