[发明专利]一种异质结电池的制备方法在审
| 申请号： | 202110220734.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113013293A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张俊揆;王璐;武燕;乐雄英;陆祥 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 毛姗 |
| 地址： | 224005 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种异质结电池的制备方法：(1)对硅片进行预清洗；(2)对硅片进行碱制绒形成金字塔结构；(3)对硅片正面激光修饰，在金字塔上形成光斑缺陷；(4)用硝酸和氢氟酸对金字塔结构的底部以及光斑缺陷进行圆润处理；(5)在硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜；在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场，在硅片正反面沉积TCO；(6)在TCO上印刷电极并烘干。本发明方法增加了激光对制绒后硅片进行修饰，极大的增加硅片的有效比表面积，增强硅片的陷光、提高光的利用率；在激光后进行RCA清洗，对硅片表面金字塔及激光区域进行圆润处理，提高非晶硅薄膜在绒面上的沉积均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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