[发明专利]一种异质结电池的制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)预清洗：对硅片进行预清洗；

(2)制绒：预清洗后对所述硅片进行碱制绒，在所述硅片表面形成金字塔结构；

(3)修饰：制绒后对所述硅片正面进行激光修饰，在所述金字塔结构上腐蚀形成光斑缺陷；

(4)RCA清洗：使用硝酸和氢氟酸的混合溶液对所述硅片进行各向同性腐蚀，对所述金字塔结构的底部以及所述光斑缺陷进行圆润处理；

(5)沉积：在所述硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜；在所述硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场，再在所述硅片正面和背面沉积透明氧化物导电薄膜；

(6)在所述透明氧化物导电薄膜上印刷电极并烘干。

2.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)预清洗：在80-90℃下使用混合液清洗所述硅片90-150秒；所述的混合液由氨水、双氧水和水按体积比1：1：(6-8)配制而成。

3.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述碱为10-20wt％氢氧化钾溶液或10-20wt％氢氧化钠溶液；所述金字塔结构尺寸为1-3μm。

4.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)修饰：制绒后将所述硅片正面置于激光下，通过激光在所述硅片金字塔结构表面形成光斑缺陷；且所述光斑缺陷的直径为0.05-0.5μm、深度为0.05-1μm。

5.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)RCA清洗：所述腐蚀温度为20-30℃，腐蚀时间为90-120秒。

6.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)RCA清洗：所述硝酸的浓度为1-40wt％；所述氢氟酸的浓度为1-40wt％。

7.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)通过丝网印刷方式在所述透明氧化物导电薄膜上印刷电极并在80-90℃下烘干120-150秒。