[发明专利]一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法有效
| 申请号： | 202110218621.7 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112992664B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孙有民;王清波;赵杰;卓青青;温富刚;王成熙 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/331;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 注入 高厄利 电压 npn 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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