[发明专利]一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法

权利要求书

1.一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在N型外延层（1）的上表面制备二氧化硅层（4）；

所述二氧化硅层（4）的厚度＜200nm；

步骤2，在二氧化硅层（4）上设置一层光刻胶（10），在光刻胶（10）上进行光刻，形成NPN晶体管基区窗口（9）；

步骤3，通过NPN晶体管基区窗口（9）对N型外延层（1）进行高能离子注入；

所述离子注入分为4次或5次，每次注入的能量逐渐减小；

当离子注入次数为4次时，第一次注入能量为700keV，注入剂量为1E14cm^-2；第二次注入能量为400keV，注入剂量为1E14cm^-2；第三次注入能量为150keV，注入剂量为5E13cm^-2；第四次注入能量为60keV，注入剂量为5E13cm^-2；

当离子注入次数为5次时，第一次注入能量为850keV，注入剂量为1E14cm^-2；第二次注入能量为600keV，注入剂量为1E14cm^-2；第三次注入能量为350keV，注入剂量为5E13cm^-2；第四次注入能量为150keV，注入剂量为5E13cm^-2；第五次注入能量为50keV，注入剂量为3E13cm^-2；

步骤4，对N型外延层（1）进行退火，在高能离子注入的区域形成NPN晶体管基区（2）；所述退火过程在卧式扩散炉内或快速退火炉内；

当退火过程在卧式扩散炉内时，退火温度为1000℃，退火时间为10min；

在快速退火炉内退火时，退火温度为1050℃，退火时间为50s；

步骤5，对退火后的N型外延层（1）进行化学气相沉淀，在N型外延层（1）上形成氧化层（11）；

步骤6，光刻氧化层（11），形成NPN晶体管发射区（3）的窗口；通过窗口对NPN晶体管基区（2）进行掺杂，在NPN晶体管基区（2）中形成晶体管发射区（3），所述高厄利电压NPN晶体管制备结束；

P型基区杂质浓度一致；

所述NPN晶体管基区（2）的结深为2.0μm或2.5μm；

所述NPN晶体管发射区（3）的结深为1.2μm或1.5μm。