[发明专利]一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法有效

专利信息
申请号: 202110212399.X 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN113009242B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 张嘉伟;刘朝辉;王力;汝艳 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12;G01R1/18
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 杨洲
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置包括磁屏蔽桶,放置在磁屏蔽桶内且与磁屏蔽桶相连接的磁屏蔽结构,磁屏蔽桶的两端设有桶盖,桶盖上设有换气孔和出线孔,磁屏蔽结构包括三轴阵列式磁通门、铜板、接地线,铜板放置在磁屏蔽桶内,铜板上放置测试样品,测试样品上放置三轴阵列式磁通门。一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法,包括:打开桶盖,将经过表面放电处理的测试样品放置于铜板之上,然后将三轴阵列式磁通门放置于测试样品之上,关闭桶盖进行测试样品表面的电势分布的测量;最后测量结果可通过数据传输线传输到电脑上进行后续分析。本发明具有测量精度高、结构简单、抗干扰能力强、操作简单等优点。
搜索关键词: 一种 阵列 式磁通门 表面 电势 分布 衰减 测量 装置 方法
【主权项】:
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