[发明专利]一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法有效
| 申请号: | 202110212399.X | 申请日: | 2021-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN113009242B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 张嘉伟;刘朝辉;王力;汝艳 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
| 主分类号: | G01R29/12 | 分类号: | G01R29/12;G01R1/18 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 杨洲 |
| 地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置包括磁屏蔽桶,放置在磁屏蔽桶内且与磁屏蔽桶相连接的磁屏蔽结构,磁屏蔽桶的两端设有桶盖,桶盖上设有换气孔和出线孔,磁屏蔽结构包括三轴阵列式磁通门、铜板、接地线,铜板放置在磁屏蔽桶内,铜板上放置测试样品,测试样品上放置三轴阵列式磁通门。一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法,包括:打开桶盖,将经过表面放电处理的测试样品放置于铜板之上,然后将三轴阵列式磁通门放置于测试样品之上,关闭桶盖进行测试样品表面的电势分布的测量;最后测量结果可通过数据传输线传输到电脑上进行后续分析。本发明具有测量精度高、结构简单、抗干扰能力强、操作简单等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 式磁通门 表面 电势 分布 衰减 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
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