[发明专利]一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法有效

专利信息
申请号: 202110212399.X 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN113009242B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 张嘉伟;刘朝辉;王力;汝艳 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12;G01R1/18
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 杨洲
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 式磁通门 表面 电势 分布 衰减 测量 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置,其特征在于,包括磁屏蔽桶(1),与磁屏蔽桶(1)相连接的磁屏蔽结构(2),磁屏蔽桶(1)的两端设有桶盖(4),桶盖(4)上分别设有换气孔(3)和出线孔(5),所述磁屏蔽结构(2)包括三轴阵列式磁通门(6)、铜板(8)、接地线(10),所述铜板(8)放置在磁屏蔽桶(1)内,所述接地线(10)的一端与铜板(8)相连,另一端穿过出线孔(5),所述铜板(8)上放置测试样品(7),测试样品(7)上放置三轴阵列式磁通门(6)。

2.根据权利要求1所述的一种阵列式磁通门的表面电势分布及衰减的测量装置,其特征在于,所述三轴阵列式磁通门(6)由三轴磁通门探头(11)构成,所述三轴磁通门探头(11)安装固定于PCB板(12),数据传输线(9)经PCB板(12)一端的多芯接插件引出穿过出线孔(5)与外部电脑连接,PCB板(12)四周留有安装孔,用于三轴阵列式磁通门(6)的固定安装。

3.根据权利要求2所述的一种阵列式磁通门的表面电势分布及衰减的测量装置,其特征在于,所述三轴阵列式磁通门(6)由三行三列共计9个三轴磁通门探头(11)构成。

4.一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法,其使用权利要求1-3中任一项所述的一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置,所述测量方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

步骤1:打开桶盖(4),将经过表面放电处理的测试样品(7)放置于铜板(8)之上,且测试样品(7)表面充电的一侧朝下放置;

步骤2:将三轴阵列式磁通门(6)放置于测试样品(7)之上,然后关闭磁屏蔽桶(1)两端的桶盖(4)进行测试样品(7)表面的电势分布的测量;

步骤3:测量结果可通过数据传输线(9)传输到电脑上进行后续分析。

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