[发明专利]一种纳米线多色近红外光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110211875.6 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN112951939A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘林生;苗腾;陈春明;刘乐福;黄祥恩;宋树祥;解文豪;董鹏堂;李锡铭 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 张学平 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米线多色近红外光电探测器及其制备方法，解决的是均匀性和稳定性差，成品率低，造价昂贵的技术问题，通过采用包括：上下依次设置的Si 100基底和SiO2绝缘层，SiO2绝缘层设置多根不同组分的InAsP纳米线作为光吸收区，两端设有金属电极，金属电极覆盖在多根纳米线的两端，并形成欧姆接触；多根纳米线排列与金属电极垂直，纳米线之间相互平行的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光电探测器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多色 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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