[发明专利]一种纳米线多色近红外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米线多色近红外光电探测器，其特征在于：所述纳米线多色近红外光电探测器包括：上下依次设置的Si 100基底和SiO2绝缘层，SiO2绝缘层设置多根不同组分的InAsP纳米线作为光吸收区，两端设有金属电极，金属电极覆盖在多根纳米线的两端，并形成欧姆接触；多根纳米线排列与金属电极垂直，纳米线之间相互平行。

2.根据权利要求1所述的纳米线多色近红外光电探测器，其特征在于：所述纳米线长度为2±0.2微米，直径为20纳米至30纳米；金属电极厚度为h2，金属电极的间距为100nm至1um。

3.根据权利要求2所述的纳米线多色近红外光电探测器，其特征在于：纳米线长度为2微米。

4.根据权利要求3所述的纳米线多色近红外光电探测器，其特征在于：所述纳米线采用III族元素In进行生长，Au作为催化剂。

5.一种纳米线多色近红外光电探测器制备方法，特征在于：纳米线多色近红外光电探测器制备方法基于权利要求1-4任意所述的纳米线多色近红外光电探测器，包括：

步骤1，将新的衬底放入MBE超高真空室进行除气，升温到固定温度T1，维持时间t1，去除衬底包括表面气体、水汽在内的杂质；

步骤2，传入生长室衬底加热器，将P源打开，使得衬底在P源保护下升温至T2，进行脱氧化层处理；

步骤3，降温至固定温度T3，接着生长一层缓冲层，厚度为h1，再继续降温T4；

步骤4，使用Au源升温至T5，打开Au源喷射时间t2，维持时间t3，使得Au变成液滴；

步骤5，打开In源、As源、P源三个源，进行喷射，时间为t4；

步骤6，降温后关闭电源，得到所需纳米线；调整组分比例，重复生长不同组分纳米线；

步骤7，利用物理剥离法转移纳米线至乙醇溶液，超声震荡维持时间t5，然后使用旋涂方式将纳米线转移并分散到SiO2绝缘层；

步骤8，利用光刻方法和电子束蒸发方法在多根不同组分的InAsP纳米线两端制备一层金属电极，得到基于多根不同组分InAsP纳米线的多色近红外光电探测器。

6.根据权利要求5所述的纳米线多色近红外光电探测器制备方法，特征在于：固定温度T1＝350℃，t1＝1小时，T2＝500℃，T3＝370℃，T4＝340±5℃，T5＝1100℃，t2＝30±1秒，t3＝1分钟，t4＝15分钟，t5＝5分钟，h1＝20±5nm。

7.根据权利要求6所述的纳米线多色近红外光电探测器制备方法，特征在于：T4＝340℃，t2＝30秒，h1＝200nm。