[发明专利]用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法在审
| 申请号： | 202110209133.X | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113030674A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 梁亚东;梁婉怡;凌翔;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N23/2206;G01N23/2202;G01N23/22;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 失效 分析 样品 处理 方法 | ||
【主权项】：
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