[发明专利]用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法

权利要求书

1.一种用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，包括：

S1：在晶圆上获取待分析的芯片样品；

S2：将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；

S3：在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。

2.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S1还包括：对所述芯片样品四周以及背面倒角。

3.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S2还包括通过光学显微镜观察芯片表面颜色，判断所述芯片样品是否已被去层至所述目标铜金属层结构上表面，若观察到未去层至所述目标铜金属层结构上表面，则继续去层直到达到所述目标铜金属层结构上表面。

4.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S3具体包括：将所述芯片样品洗净吹干，利用电子显微镜定位到待检测位置，对所述芯片样品的所述待检测位置进行电子束扫描，通过电子束与所述芯片样品表面作用在所述目标金属层结构上表面的所述待检测位置形成镀碳保护层。

5.如权利要求4所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述电子显微镜的工作条件为：电压为1～2kV、电流为100～200pA、放大倍率为50k～100k且扫描速度为100～300ns。

6.如权利要求4所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述电子束扫描的时间为3～5min。

7.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S3中镀碳保护层的厚度为1～2nm。

8.如权利要求1所述的用于失效分析的样品的处理方法，其特征在于，所述S1中，去层的方法包括酸洗和人工手磨以及酸洗和人工手磨相结合。

9.一种失效分析方法，其特征在于，包括权利要求1～8中任一项所述的用于失效分析的样品的处理方法，还包括：

S4：对所述芯片样品的所述待检测位置进行电性验证和物性观察，判断失效机理。

10.如权利要求9所述的失效分析方法，其特征在于，所述S4包括：通过纳米探针对所述芯片样品的所述待检测位置进行电性验证；通过透射电镜对所述芯片样品的所述可能失效位置进行物性观察。