[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202110198269.5 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113451124A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 堀越章;中村昭平;高辻茂;木村贵弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。在使用等离子体去除抗蚀膜时，抑制对衬底造成的损伤并且不需要使用SPM。在等离子体处理(步骤S102)中，执行对抗蚀膜(R)的表面供给自由基(活性种)的自由基供给步序。然后，执行抗蚀剂去除步序，即，在自由基供给步序之后对存在于衬底(S)的正面(Sa)的抗蚀膜(R)供给低表面张力的有机溶剂，由此从衬底(S)的正面(Sa)去除抗蚀膜(R)(步骤S104)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110198269.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
