[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种衬底处理方法，包括：

等离子体产生步序，在大气压下产生等离子体；

自由基生成步序，由所述等离子体产生步序中所产生的所述等离子体生成自由基；

自由基供给步序，对形成在衬底表面的抗蚀膜供给所述自由基，一边维持所述抗蚀膜与所述衬底表面接触的状态一边使所述抗蚀膜的表面附近变质；

抗蚀剂去除步序，在所述自由基供给步序之后对所述衬底表面的所述抗蚀膜供给低表面张力的有机溶剂，由此从所述衬底表面去除所述抗蚀膜；以及

冲洗步序，在所述抗蚀剂去除步序之后，对所述衬底表面供给冲洗液。

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中所述低表面张力的有机溶剂为乙醇、异丙醇或丙酮。

3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中所述自由基为活性种。

4.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中所述自由基为羟基自由基。

5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中在所述等离子体产生步序中，利用与所述衬底表面对向配置的等离子体产生器产生所述等离子体，

所述等离子体产生器的电极到形成在所述衬底表面的所述抗蚀膜表面的距离小于所述自由基在其寿命内能够达到的距离且大于0。

6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中所述等离子体产生器的电极到形成在所述衬底表面的所述抗蚀膜表面的距离为2mm以上5mm以下。

7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中在所述自由基供给步序中，利用朝向所述衬底表面的气流将所述自由基供给到所述抗蚀膜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的衬底处理方法，其中对所述抗蚀膜注入了离子。

9.一种衬底处理装置，去除衬底上的抗蚀膜，具备：

保持部件，在大气压下将所述衬底水平保持；

等离子体产生器，具有活性种喷嘴、及配置在所述活性种喷嘴内部的电极，利用所述活性种喷嘴来供给被等离子体活化后的活性种，所述等离子体是通过对所述电极施加电压而产生的；以及

有机溶剂喷嘴，供给低表面张力的有机溶剂；且

所述活性种喷嘴的所述电极到所述保持部件所保持的所述衬底上的所述抗蚀膜表面的距离设定为活性种中所含的羟基自由基在其寿命内能够从所述电极到达所述抗蚀膜表面的距离。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中所述活性种喷嘴的所述电极到所述保持部件所保持的所述衬底上的所述抗蚀膜表面的距离为2mm以上5mm以下。