[发明专利]三维相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110198002.6 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951990B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制备方法，所述三维相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线，以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元；相变存储单元包括沿第三方向叠置的第一选通层、相变存储层以及第二选通层，第一选通层位于相变存储层与第一导电线之间，第二选通层位于相变存储层与第二导电线之间，所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向；其中，第一导电线的厚度D1、第二导电线的厚度D2、第一选通层的厚度d1、第二选通层的厚度d2、第一选通层的热导率系数k1和第二选通层的热导率系数k2满足如下条件： |
||
| 搜索关键词： | 三维 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110198002.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
