[发明专利]三维相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110198002.6 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951990B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种三维相变存储器，其特征在于，包括：
沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线，以及沿第三方向设置于所述第一导电线和所述第二导电线之间的相变存储单元；所述相变存储单元包括沿第三方向叠置的第一选通层、相变存储层以及第二选通层，所述第一选通层位于所述相变存储层与所述第一导电线之间，所述第二选通层位于所述相变存储层与所述第二导电线之间，所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向；其中，
第一导电线的厚度D1、第二导电线的厚度D2、第一选通层的厚度d1、第二选通层的厚度d2、第一选通层的热导率系数k1和第二选通层的热导率系数k2满足如下条件：
其中，D1不等于D2，λ为0.7-1.3。
2.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于：
所述第一选通层的热导率系数k1等于所述第二选通层的热导率系数k2。
3.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于：
所述第一选通层的厚度d1等于所述第二选通层的厚度d2。
4.根据权利要求1或3所述的三维相变存储器，其特征在于：
所述第一选通层的材料包括第一化合物，所述第二选通层包括C或N掺杂的第二化合物。
5.根据权利要求3所述的三维相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元具体包括：
沿第三方向依次堆叠的第一选通层、第一电极、第二电极、相变存储层、第三电极、第四电极和第二选通层；其中，
所述第一电极与所述第四电极的材料包括含碳材料；
所述第二电极与所述第三电极的材料包括金属材料。
6.一种三维相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一导电线材料层，所述第一导电线材料层用于形成沿第一方向延伸的第一导电线；
在所述第一导电线材料层上形成相变存储单元材料叠层，所述相变存储单元材料叠层用于形成相变存储单元，所述相变存储单元包括沿第三方向叠置的第一选通层、相变存储层以及第二选通层，所述第一选通层位于所述相变存储层与第一导电线之间，所述第二选通层位于所述相变存储层与第二导电线之间；
形成位于所述相变存储单元上的沿第二方向延伸的第二导电线；其中，
所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向；
第一导电线的厚度D1、第二导电线的厚度D2、第一选通层的厚度d1、第二选通层的厚度d2、第一选通层的热导率系数k1和第二选通层的热导率系数k2满足如下条件：
其中，D1不等于D2，λ为0.7-1.3。
7.根据权利要求6所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于：
所述第一选通层的热导率系数k1等于所述第二选通层的热导率系数k2。
8.根据权利要求6所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于：
所述第一选通层的厚度d1等于所述第二选通层的厚度d2。
9.根据权利要求6或8所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于：
所述第一选通层的材料包括第一化合物，所述第二选通层包括C或N掺杂的第二化合物。
10.根据权利要求6所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于：
所述相变存储单元具体包括：
沿第三方向依次堆叠的第一选通层、第一电极、第二电极、相变存储层、第三电极、第四电极和第二选通层；其中，
所述第一电极与所述第四电极的材料包括含碳材料；
所述第二电极与所述第三电极的材料包括金属材料。
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