[发明专利]具有减小的干扰的三维存储器件及编程方法有效
| 申请号： | 202110195004.X | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112700812B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王明;刘红涛;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/22;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件和用于操作所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中，公开了一种用于操作3D存储器件的方法。所述3D存储器件包括存储堆栈，每个存储堆栈在竖直方向上包括多个存储层。第一存储堆栈中的每个存储层被第一编程。第一编程包括将编程电压施加至所述存储层，并且将小于所述编程电压的第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。处于所述第一存储堆栈上方的第二存储堆栈中的每个存储层被第二编程，所述第二编程包括：将所述编程电压施加至所述存储层，并且将所述第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。所述第二编程还包括：将小于所述第一沟道通过电压的第二沟道通过电压施加至所述第一存储堆栈中的每个存储层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 干扰 三维 存储 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
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